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在2020年11月份时，美光公布完成176层3DNAND闪存芯片的研发及实现量产，也率先开创了业界闪存芯片3D闪存堆叠层数最高记录。而在2021年年中开始，176层的闪存芯片实现小规模型号上……

日前，日本凯夏和西部数码的NAND闪存工厂发生污染事故，影响了容量为6.5eb的闪存芯片。这起黑天鹅事件给全球闪存行业带来了不确定性。最初的价格仍在下降，但最新预测显示，第二季度闪存价格将上……

SK海力士（SK Hynix）官方发布消息称，已经开发出238层NAND闪存芯片，它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。SK海力士宣称新的23……

周三，WesternDigitalandarmorman宣布，多达6.5eb的闪存芯片被污染。根据根西数码和armorman的报告，这两家工厂可能会造成高达16eb的闪存浪费，影响本季度闪存……

几天前，WesternDigital及其合作伙伴Kaixia表示，用于闪存芯片生产的材料已被污染，影响了日本两家工厂的生产。凯夏还表示，预计传统3DNAND闪存的交付不会受到影响。但据薄板堂……

随着QLC闪存成为主流，PLC闪存又开始崭露头角，以前不受待见的TLC闪存都成香饽饽了，甚至是使用环境苛刻的工业级市场上也要大量使用TLC闪存，铠侠日前推出了新一代BiCS 3D TLC工业……

尽管该工厂遭遇了一次材料污染事件，影响了6.5eb闪存芯片，但凯夏仍然庆祝了一个重大事件——NAND闪存诞生35周年。NAND闪存是由东芝工程师Fujio·马佐卡（AndyLauMASUOK……

不久前，日本西部数码和凯夏的闪存工厂遭遇材料污染事故，导致大量闪存报废。之前的估计是，容量为6.5eb的闪存受到了影响，但现在损失远不止这些。闪存芯片最快将于4月缺货。西部数码与凯夏在日本S……

最近，西部数字及其合作伙伴凯霞表示：闪存芯片生产所用材料的污染影响了日本两家工厂的生产。凯霞表示，受影响的产品是一款名为3D闪存的新芯片，传统2DNAND闪存的交付预计不会受到影响。西部数码……

昨晚美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。在闪存行业，国内的厂……