不知不觉，我国的芯片公司又闯进了一个新的领域，此前西安紫光国芯公布发布12nm工艺的GDDR6储存控制板和物理学接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。

紫光国芯以前做了DDR内存处理芯片，也有便是NAND闪存芯片，发布显卡内存有关的IP处理芯片還是第一次，并且水平不低，工艺工艺应用的是GF格芯的12nm LP功耗工艺，做的也是GDDR6储存控制板和物理学接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），大伙儿能够了解为GDDR6显卡内存的主板芯片。

依据紫光国芯详细介绍，这一GDDR6 MC/PHY IP包含一个可配备的内存控制器（MC），其符合实际DFI3.1和AMBA AXI4.0规范，并容许设计方案技术工程师形成具备提升延迟时间和网络带宽的GDDR6控制板以考虑高性能运用的规定，如独立显卡，街机游戏机和AI测算等。

该IP对于功能损耗和性能开展了可靠性设计，西安紫光国芯的GDDR6物理学接口（PHY）出示了达到12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率，另外兼容JEDEC250和DFI3.1规范。

物理学接口（PHY）一部分还置入了高性能锁相环路以考虑严苛的时钟频率标准。

与流行GDDR6储存顆粒集成化，历经流片检测认证，该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据信息率时考虑设计方案规格型号规定。且当数据信息率是16Gbps时，均值每一个DQ的较大 功能损耗低于2mW/Gbps。

现阶段，紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP早已在格芯的12LP工艺服务平台发布。

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