辟谣了!南芯半导体声明:小米澎湃P1为小米自研设计
2月8日,南芯半导体于今天下午发布《关于对小米澎湃P1不实传言的说明》说,最近,我注意到网上有很多关于小米的虚假谣言,这与事实完全不符。
南芯半导体在描述中说,小米的P1芯片由小米和南芯半导体(内部代码sc8561)设计。该芯片采用超高压4:1充电架构,实现120W单电池充电,支持1:1、2:1和4:1转换模式,所有模式均可双向进行,可实现有线120W、无线50W、无线反向充电等多种充电功能。
AndyLausemiconductor于2021年9月发布的AndyLausc8571是一种超高压4:2充电架构,可实现120W双电池充电。它支持4:2和2:2模式,以满足超高功率充电要求。
小米开发的P1充电芯片与南芯的sc8571拓扑完全不同。它是两个设计、功能和定位不同的充电芯片。
今年1月,小米推出了第三款自主研发的芯片“奔腾P1”,由小米12pro推出这是一款特殊的快速充电芯片,相应的“不朽二次充电”技术也获得了2021年小米年度技术奖二等奖。
据悉,奔腾P1在“120W单体”充电方面取得了突破,这是单体电池过去无法实现的大功率快速充电。与双细胞相比,单细胞最显著的优点是它可以节省更多的空间,在相同体积下有更大的容量,在身体控制方面有更多的优势。
官员们表示,P1的研发耗时18个月,四个研发中心共同投入超过1亿。最后,实现了在轻薄机身下的大功率120W快速充电。
© 本文系原创,著作权归:芦虎导航官网。如需转载,请署名并注明出处:https://www.luhu.co/article/000000000014090.shtml