三星一直是3D闪存领域的领导者，但美光去年在176层堆叠闪存的批量生产方面领先。为了迎头赶上，三星最快可在今年年底批量生产224层堆栈闪存，性能将提高30%。

三星的3Dflashv-nand现已发展到第七代，最多有176层。它原本计划在去年年底大规模生产。然而，由于NAND闪存价格下跌等因素，三星选择推迟量产，量产要到今年第一季度才会正式量产，导致其技术略微落后于美光等公司。

然而，三星有望赶上下一代闪存，第八代v-nand闪存将于今年年底和明年初尽快推出。堆叠层数首次超过200层。据传以前使用过228层。现在据说使用了224层，相当于在128层的基础上叠加96层。

据消息人士透露，三星的224层闪存性能也非常好，数据速度提高了30%，同时，生产效率也提高了30%。

此外，三星的224层闪存技术也非常困难。此前，三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司。这一次，224层采用了双堆栈技术，这带来了严峻的技术挑战。

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