消息称国产17nm工艺内存芯片良率已达40% Q2首发供应DDR4
经过几年的追赶,国产DRAM存储芯片于2019年由合肥长信批量生产。第一个产品是19nm工艺。今年,合肥长信将推出下一代17nm进程存储器芯片,但第一款产品不是传闻中的ddr5,而是DDR4。
根据Dama的分析,合肥长信17nm工艺DRAM芯片产量已达到40%。预计在第二季度向客户提供产品,其成本比台湾制造商的20nm和25nm工艺存储器更具优势。
在生产方面,达玛表示,合肥长新今年的产能将增至8万片/月,并将在北京新建一座工厂,大规模生产17nm进程存储器芯片。
在以前的报告中,昌鑫还将开发ddr5、lpddr5和其他7Nm及以下工艺的存储器。在下一代10G5进程中,除了ddr5和lpddr5之外,还有gddr6视频内存。
此外,长兴实现了45000个月/月和60000个月/月的目标分别为2020和2021。2022年的产能目标是12万片/月,未来的产能目标是30万片/月。
© 本文系原创,著作权归:芦虎导航官网。如需转载,请署名并注明出处:https://www.luhu.co/article/000000000015193.shtml