手机的闪存对整体性能和流畅性也至关重要。目前，UFS3.1闪存的连续读写速度也超过了GB/s，与台式SSD相当。现在，铠侠宣布推出新一代UFS闪存，业界首次支持Mipim-phyV50，性能提升高达90%，容量可达512gb。

铠侠表示，美国子公司今天宣布，该行业第一批产品符合Mipim-phyV50UFS闪存样本，使用该公司的BICSflash3D闪存技术，提供128GB、256gb和512gb容量。

新一代UFS闪存提供高速读写性能，主要用于各种移动设备，包括智能手机。

铠侠的新产品支持Mipim-phyV50在hs-gear5模式下，理论接口速度高达每通道23.2gbps，x2通道46.4gpbs——作为参考，PCIe3.0硬盘提供的接口速度高达32gbps，而PCIe4.0X4的接口速度为64gbps。

铠侠表示，与上一代设备相比，256gb设备的顺序读写性能分别提高了约90%和70%。此外，与上一代设备相比，256gb设备的随机读写性能分别提高了约35%和60%。

根据铠侠的信息，256gb闪存样品将于2月25日交付，其他产品将于8月跟进。如果没有意外，旗舰机器最快将在今年下半年使用这种闪存，具体取决于谁能推出它。

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