随着ddr5内存的出现，越来越多的人开始关注内存产品的升级换代频率。从5000mhz开始的高频设计确实令人震惊，价值惊人，它似乎已经成为许多用户购买内存产品的第二大标准。

因此，它忽略了一个非常重要的参数设计，即内存产品的实时序列。

也就是说，主要内存产品上标记的一系列“40-40-40-77”值，高和低。

不同产品的价值也会有显著差异，几乎每个产品都有一个价值；面对这一系列不规则的价值观，很少有人会注意到他们之间的差异，并探究他们的角色是什么。今天，让我们设置一个磁盘内存计时。

什么是时机？

简言之，记忆计时指的是对记忆在处理各种任务和操作时所遇到的固有延迟的数值描述，或者更本质地说，指的是更方言的延迟。定时是指内存处理工作和操作的特定延迟时间。根据这个定义，时间越短越好；

同时，有许多种定时会影响内存延迟，或描述延迟。我们传统产品中列出的四种类型对记忆的影响最大、最显著。

它们都有特定的代码，依次为Cl、tRCD、Trp和TRAS。这四个代码都是缩写。第一个Cl，CASlatency，描述了内存列地址访问的延迟时间，这也是计时中最重要的参数。

第二个tRCD是RAS-to-CAS-delay，指的是从内存行地址到列地址的延迟时间；第三个Trp，RAS预充电时间，代表存储器线地址选通脉冲的预充电时间；第四个Tra，RASactivetime，描述了行地址被激活的时间。

时间如何影响工作

在理解了主定时的含义之后，我们还需要理解内存和CPU之间的连接原理，以便真正理解主定时对内存性能的影响。

通常，CPU的工作流程是发出寻址指令，内存将快速搜索并寻址存储在缓存中的文件。我们认为寻址过程是一个包含列和行的go网格。

当CPU发出搜索文件的命令时，内存首先需要确定go网格中的数据行。然后，定时的第二个参数tRCD代表这个时间。简而言之，它是在接收到line指令后，内存需要等待多长时间才能访问这一行。

值得注意的是，由于每行中的数据量非常复杂，在内存工作的第一步中无法准确定位，只能进行估计，因此仍然需要第二步来完成指令。

当内存确定文件所在的行时，需要确认数据所在的列。只有确定了所有行和列，才能锁定文件的特定地址；确定列的等待时间是计时中的CL。换句话说，它是在内存确定行数后访问特定列所需的时间。

第三个参数是确认第一行的值后，另一行的等待时间（时间段）。

第四个teras部分是指完成命令后整个内存的总和。它的值大约是前三个值的总和。当然，时间越长，差异越大。

D4和D5的定时比较

接下来，我们将通过DDR4和ddr5的计时来探索D4和D5内存之间的差异。

“40-40-40-77”是品牌5200mhzD5产品的时序设计，“16-16-16-36”是品牌4000MHzD4产品的时序设计。

就时间而言，两者之间的数值差异几乎是前者的两倍。虽然D5内存在绝对频率上有了显著的提高，但它的延迟会严重拉伸，这无疑会对用户的实际使用产生一定的影响。

这就是为什么许多D5记忆暂时没有被大量玩家接受的原因。

频率的增加并不能显著改善用户体验，但过度的延迟就像一颗定时炸弹，在不经意间影响了用户体验。如果你想增加频率，减少时间，这可能是未来内存行业需要探索的一个重要课题。

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