相对于大多数III-Ⅴ族化合物探测器，硅的碰撞电离系数比值较低，所以硅锗雪崩二极管探测器的噪声小，带宽宽。为利用锗在近红外区的强吸收和硅的低倍增噪声优势，市面上生产了一种基于吸收层、电荷层和倍增层分离结构的硅锗雪崩二极管探测器。由于其较小的寄生电容以及对量子效率和载流子传输时间的解耦，探测器采用波导设计而非垂直入射，从而获得了更高的量子效率和带宽。

此外，波导雪崩光电二极管探测器可以集成到复杂的光子集成电路中，比如包含波分复用器的光子集成电路。利用分布式布拉格反射体，雪崩二极管探测器的量子效率在通信频段由60%提高到90%。

带分布式布拉格反射器的雪崩光电二极管探测器带宽仍可达25GHz，与不带分布式布拉格反射器的雪崩光电二极管探测器带宽相当。该设计还实现了10V低击穿电压和近500GHz的带宽增益积，并且在64Gb/s速率下能成功实现无误码传输。

雪崩光电二极管探测器设计在击穿电压、量子效率、倍增增益、器件带宽和附加噪声等方面具有较好的性能，将为下一代高带宽、高能效的光学互连技术在大型数据中和高性能计算中发挥重要作用。

以上便是波导硅锗雪崩光电二极管探测器的相关事项。

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