实际上，光电二极管的“响应速度”和“探测下限”是研究中经常提到的两个参数，该参数会对光电二极管选型产生何种影响呢？接下来，就随成光兴小编一起来了解一下这两个参数。

一、响应速度

通常用上升时间和截止频率来描述响应速度。响应速度主要受以下三个主要因素影响：

1、由终端电容(Ct)和负载电阻(RL)决定的电路特性；

2、耗尽层外载流子的扩散时间；

3、载流子在耗尽的层渡越时间。

与短波长光相比，长波长光往往激发出耗尽层外的载流子，因而扩散时间延长，响应速度变慢。除此之外，以下三种提高光电二极管响应速度的方法更为普遍：

1、选用较低端电容(Ct)的光电二极管；

2、降低电路中负载电阻(RL)；

3、通过增加反向电压(VR)，还可以降低终端电容值(Ct)，最终获得更快的响应速度。(注意，当反向电压增加时，暗电流增加。)

二、检测下限

检测下限通常用噪声等效功率来描述。检测下限主要取决于光电二极管在相应波长上的光灵敏度、光信号频率和光电二极管噪声特性。

1、反向电压(VR)引起的暗电流(ID)，VR越高，暗电流越大；

2、分流电阻(Rsh)相关的热噪声：分流电阻越大，噪声电流就越小。当电路中没有反向电压(VR)时，这是需要考虑的最主要因素；

3、不可避免地由光电流(信号)引起的散粒噪声电流。

以上便是光电二极管选型中所需要考虑的参数。

© 本文系原创，著作权归：芦虎导航官网。如需转载，请署名并注明出处：https://www.luhu.co/article/000000000007158.shtml