在3nm节点，三星积极选择下一代砷化镓晶体管技术，以与台积电竞争。台积电更安全。第一代3nm工艺仍在使用FinFET工艺，其优点是可在今年下半年批量生产。

在今天的财务报告会上，台积电还解释了其3nm流程的进展情况，强调3nm流程正在顺利发展，并按计划在下半年量产。

台积电强调，在3nm处继续使用FinFET晶体管是一个综合考虑，可以为客户提供最成熟的技术、最佳的效率和最佳的成本。

根据台积电官方数据，台积电3nm工艺的逻辑密度是上一代5nm工艺的1.7倍，性能提高11%，在相同性能下，功耗可降低25-30%。

此外，台积电还透露了3nm流程n3e的增强版，称将在3nm流程量产一年后量产，即2023年推出，将带来更强的性能。

不过，台积电对n3e的技术细节保密，并没有透露是否会升级晶体管架构。

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